北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果

2016 年 9 月 9 日3440

　　日前，北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果，首次利用SiC外延生长方法，在3英寸SiC衬底上制成石墨烯二维材料，为实现晶圆级石墨烯商业化规模生产奠定了重要基础。

　　石墨烯是一种二维平面六边形蜂窝网状结构的单层碳原子薄膜，因其超高载流子迁移率、超高热导率、优异的等比缩小和有限的散射等优异特性，在高频电子器件、光电子器件及量子器件等诸多领域具有巨大的应用前景。

　　世纪金光公司采用SiC外延法制成晶圆级石墨烯。SiC外延法是目前最具有发展优势和发展潜能的制备石墨烯的可靠方法。SiC外延制备的石墨烯能和主流CMOS工艺相兼容，无需进行衬底转移，可直接应用于电子器件研究。制成石墨烯材料的拉曼光谱中可清晰看到石墨烯的特征峰2D峰和G峰,缺陷峰D峰不明显，说明晶体质量良好。

　　晶圆级石墨烯材料制备的突破，将满足新一代微纳电子器件的发展需求，促进我国新兴石墨烯产业化的快速发展，带动我国微纳电子、电力电子、新能源、新材料等相关产业链快速发展。